全球半导体产业竞争加剧已经成为行业公认的现状，而如今中国半导体企业正以创新姿态突围。长晶科技作为功率半导体领域的新秀，凭借技术攻坚与全产业链协同的“双轮驱动”，在短短数年内实现了从设计型企业到IDM综合型巨头的跨越，为行业开辟了一条突围之路。

长晶科技的技术攻坚始终瞄准国际巨头垄断的高端领域。以IGBT为例，其通过创新微沟槽栅设计（1.6μm Pitch）和场终止技术，使FST3.0系列产品损耗降低10%，性能达到“国内领先、国际先进”水平，成功打入头部储能企业供应链。这一突破的背后，是公司每年对技术研发领域的海量资金支持，目前已经累计授权知识产权达370余件，其中发明专利77项，构建起坚实的技术壁垒。

在封测环节，长晶科技同样展现硬实力，其江苏长晶浦联封测基地年产能超100亿颗，产品良率突破99.8%，客诉率低至3PPB，达到国际一流水平。而晶圆级封装MOSFET产品，作为规模化量产并替代进口的“硬科技”，仅半年便创下过亿元销售额。这种技术突破不仅源于持续投入，更得益于与高校、下游客户共建联合实验室，推动“研发—应用”闭环，加速技术迭代。

长晶科技的突围，离不开全产业链协同的“长晶模式”。2018年成立时，公司仅30余名骨干，定位设计型企业；2021年得益于“江北一体化”战略的支持，公司在浦口投建封测基地，补全封装环节；2022年并购晶圆制造工厂，实现关键环节自主可控，这种垂直整合模式，既降低了成本，又加速了技术迭代。

而今，长晶科技已成功构建从芯片设计、晶圆制造到封装测试的完整产业链，员工规模更是超1800人。现在，长晶科技的IGBT模块生产线满负荷运转，产品性能对标国际品牌第七代，已在家电、光伏等领域实现规模化替代。

在半导体产业的激烈竞争中，长晶科技已经走出了一条独具特色的发展道路，从技术攻坚起步，逐步迈向全产业链协同，正在为中国半导体产业的崛起贡献着关键力量。

【广告】免责声明：本内容为广告，相关素材由广告主提供，广告主对本广告内容的真实性负责。本网发布目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，广告内容仅供读者参考。