在全球能源结构转型与新能源汽车市场迅猛发展的背景下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，集成了GTR（大功率晶体管）高电流密度、低饱和电压和高耐压的优点，以及MOSFET（场效应晶体管）高输入阻抗、高开关频率和快驱动速度的特性，被誉为电力电子行业的“工业CPU”。

然而，长期以来，国际巨头如英飞凌、安森美等占据着IGBT市场主要份额，尤其是在新能源汽车、光伏储能等高端领域，国产替代的呼声日益高涨。在这一背景下，江苏长晶科技股份有限公司（以下简称“长晶科技”）凭借其自主研发的FST3.0 IGBT产品，成功对标国际第七代技术，成为国产IGBT突围的标志之一。

长晶科技成立于2018年，是一家专注于半导体产品研发、生产和销售的高新技术企业。面对IGBT市场的国际垄断，长晶科技没有退缩，而是选择了迎难而上。公司从产品定义阶段就明确了对标国际先进水平的战略目标，通过自主研发设计、工艺平台优化和产品迭代，成功推出了FST3.0 IGBT系列产品。

长晶科技FST 3.0 IGBT单管

FST3.0 IGBT产品采用了微沟槽栅（1.6μm Pitch）和场终止技术，显著提高了载流子密度，降低了通态损耗和开关损耗，性能达到了国际第七代IGBT的水平。

FST3.0 IGBT的推出，不仅标志着长晶科技在IGBT技术上的重大突破，更为其打开了高端应用市场的大门。在新能源汽车领域，长晶FST3.0系列产品相比上一代产品损耗降低了逾10%，有效提升了电能转换效率，延长了车辆续航里程。在光伏储能领域，该产品同样表现出色，能够有效提升电能转换效率，为电站节省大量电能，增加经济效益。

除了技术上的突破，长晶科技还非常注重产品的可靠性和封装工艺。公司从芯片研发之初结合器件的热阻、应力、可靠性等多方面考量进行封装设计。出货前，产品还需经过高规格的测试和老化工序筛选，确保每一颗IGBT都能在恶劣的工作环境下稳定运行。

随着FST3.0 IGBT的批量供应，长晶科技在IGBT市场的份额不断扩大。公司已在多家Tier1储能品牌进行产品验证试产，并成功进入新能源汽车、光伏逆变器等领域。同时，长晶科技还在积极储备FST4.0代次IGBT产品，与用户协作开展芯片、封装的预研工作，紧密围绕行业需求进行创新。

长晶科技的成功，不仅为国产IGBT的突围树立了榜样，更为我国功率半导体产业的国产替代注入了强大动力。未来，长晶科技将继续秉持“创造世界一流半导体品牌”的发展愿景，以技术创新为驱动，推动中国功率半导体产业的发展，为全球能源转型和新能源汽车革命贡献中国智慧和中国力量。

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